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G938E+512GB 发布时间 时间:2025/5/10 14:19:49 查看 阅读:2

G938E 512GB 是三星公司推出的一款基于 NAND 闪存技术的嵌入式存储芯片,主要用于智能手机、平板电脑等移动设备的内置存储。该型号采用 UFS(Universal Flash Storage)接口标准,提供高速的数据读写能力,同时具备低功耗特性。这款存储芯片支持大容量数据存储,满足现代移动设备对高性能和大存储空间的需求。
  作为一款高端存储解决方案,G938E 512GB 结合了先进的制程工艺和优化的架构设计,确保在各种应用场景下都能保持稳定的性能表现。

参数

容量:512GB
  接口类型:UFS 3.1
  工作电压:2.8V~3.6V
  数据传输速率:最高可达 2300 MB/s(顺序读取),最高可达 1200 MB/s(顺序写入)
  封装形式:BGA
  工作温度范围:-25°C ~ +85°C
  存储单元技术:V-NAND

特性

G938E 512GB 拥有以下显著特性:
  1. 高速性能:得益于 UFS 3.1 接口,这款存储芯片提供了比传统 eMMC 和早期 UFS 标准更快的数据传输速度,大幅缩短应用加载时间和文件传输时间。
  2. 大容量:512GB 的存储空间能够满足用户对高清视频、大型游戏和其他多媒体内容的存储需求。
  3. 低功耗设计:通过优化的电源管理方案,该芯片能够在保证高性能的同时降低功耗,从而延长移动设备的电池续航时间。
  4. 可靠性高:采用三星 V-NAND 技术,具备更高的耐用性和数据可靠性,适合长时间使用。
  5. 小型化封装:BGA 封装使得该芯片体积小巧,非常适合对空间要求严格的移动设备。

应用

G938E 512GB 主要应用于以下领域:
  1. 高端智能手机和平板电脑:为这些设备提供大容量、高性能的内置存储解决方案。
  2. 超薄笔记本电脑:满足轻薄型笔记本对快速启动、流畅运行的需求。
  3. 工业级设备:如医疗仪器、监控系统等需要稳定、高效存储的场景。
  4. 增强现实(AR)/虚拟现实(VR)设备:支持这些设备中大量数据的实时处理与存储。
  5. 物联网(IoT)终端:适用于需要长期可靠存储的智能终端设备。

替代型号

KMJ512GE7QHM-V541, KBG40ZNV512G